Дырочно-электронный переход

Дырочно-электронный переход - область контакта двух полупроводников с различным типом проводимости, а также полупроводника и металла.
Вблизи контакта происходит взаимная диффузия носителей зарядов, которая приводит к образованию запирающего электрического слоя. Электрическое поле этого слоя препятствует дальнейшей диффузии носителей зарядов.
Если полупроводник n-типа соединен с положительным полюсом источником тока, а полупроводник p-типа - с отрицательным полюсом, то ширина запирающего слоя увеличивается и сопротивление p-n перехода возрастает.
При обратном подключении источника тока ширина запирающего слоя и сопротивление p-n перехода уменьшается.